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半导体显示材料与芯片重点实验室2026年招聘启事

发布日期:2026-03-05类别:高校科研类型:高校科研

关键信息

报名方式邮箱投递简历,邮件主题格式为“重点实验室+岗位+姓名”
联系电话0512-62872758

招聘岗位(7 个展示,详见公告附件)

岗位名称招聘单位/部门学历要求专业要求招聘人数
副高及以上人才 半导体显示材料与芯片重点实验室 博士 电子信息、物理、光学、材料等相关专业 9
博士后(特别研究助理)人才 半导体显示材料与芯片重点实验室 博士 电子信息、物理、光学、材料等相关专业 13
半导体材料(GaN、GaAs)外延生长及表征工程师 半导体显示材料与芯片重点实验室 硕士或本科+4年经验 半导体相关领域 2
厂务工程师/MOCVD设备维护工程师 半导体显示材料与芯片重点实验室 硕士或本科+4年经验 半导体相关领域 2
半导体芯片工艺工程师(激光器、Micro-LED器件制备工艺) 半导体显示材料与芯片重点实验室 硕士或本科+4年经验 半导体相关领域 2
半导体芯片测试工程师(激光器结温与热阻测试表征、可靠性及失效分析) 半导体显示材料与芯片重点实验室 硕士或本科+4年经验 半导体相关领域 2
半导体芯片封装工程师(激光器封装工艺与测试表征) 半导体显示材料与芯片重点实验室 硕士或本科+4年经验 半导体相关领域 2
【元数据头】发布时间:2026-03-05 依托中国科学院苏州纳米所组建的半导体显示材料与芯片重点实验室 2024 年获批成立,聚焦半导体显示材料缺陷密度高、芯片能效低等基础科学问题,开展关键材料、核心器件与集成芯片的创新研究,突破高质量材料生长与高性能芯片制备的关键技术,集聚 一支 由战略科学家、青年学术带头人等组成的科技创新队伍,目标产出一批原创性科技成果,推动科技成果的转移转化,着力建设成半导体显示材料与芯片领域创新高地。 一、重点实验室 的 主要研究方向 1. 高质量半导体光电材料 ( GaN 等 III 族氮化物半导体材料、 GaAs 等 III-V 族化合物半导体材料外延生长与测试表征) 2. 高能效红绿蓝微纳光电器件 ( GaN 基激光器与 Micro-LED 等光电器件制备 及其 结温与热阻测试表征与散热研究) 3. 半导体显示多维度调制器件 (数字微镜器件 DMD 、 MEMS 微振镜、超表面光场调控、微纳光栅、光波导、驱动调制器件) 4. 高性能半导体显示集成芯片(激光显示、 Micro -LED 大屏显示及 XR 微显示、全息显示、透明 柔性显示等新型显示驱动芯片及其集成微系统) 二、 招聘 研究岗位 招聘岗位的研究方向: • 半导体材料( GaN 、 GaAs )外延生长及表征 • RGB Micro-LED 及其全彩集成制备及表征 • 半导体(边发射、面发射)激光器制备 及表征 • 半导体激光器与 Micro-LED 的散热管理 • 半导体激光器 可靠性 及失效分析 • AR 光波导 (耦合) • 微纳光学仿真 模拟 • AI 算法辅助光学设计 • 超表面光场调控与激光器片上集成 • 驱动调制器件 • 集成显示技术 岗位 1 :副高及以上人才 8-10 人 根据研究所 “ 高层次人才招聘启事 ” ,招聘电子信息领域的高层次研究人员,具体各级人才政策详见研究所 “ 高层次人才招聘启事 ” 。 1. 岗位要求: 1) 理学或工学博士毕业,具有电子信息、物理、光学、材料等相关专业背景 ; 2) 在国内外著名高校、研究机构有 2 年及以上的工作经历,有主持 科研 项目经验者优先; 3) 负责 围绕重点实验室主攻方向开展有组织的基础研究, 组织推进科研项目实施,并做出重要成果; 4) 具有 独立承担科研工作的能力,具有 较好的英文阅读、写作能力 , 在本领域知名国际刊物上发表过学术论文; 5) 具有较好的学习能力和团队合作精神,具有较强的沟通协调和组织能力。 岗位 2 :博士后 (特别研究助理)人才 1 0 - 15 名 1. 岗位要求: 1) 申请人获得博士学位 3 年以内, 具有电子 信息 、物理、光学、材料等相关专业背景, 年龄一般不超过 35 周岁; 2) 能够围绕重点实验室主攻方向开展有组织的基础研究, 能够 独立从事相关科研实验; 3) 具有良好的英文阅读、写作能力; 4) 具有良好的学术道德,严谨的科研作风和科学、求实、团结、协作的精神。 2. 固定薪酬: 博士后在站期间,固定薪酬 28 万起,特别优秀者固定薪酬 58 万起,另加奖励绩效。 3. 可争取的个人补贴: 1) 入选江苏省卓越博士后计划,可获得 50 万元 /30 万元 /20 万元人才津贴 ; 2) 入选博新计划,可获得 32 万元生活补贴 ; 3) 入选中国科学院特别研究助理资助项目或研究所 “ 优秀博士后计划 ” ,可获得 12 万元人才津贴 ; 4) 获得中国博士后科学基金面上资助和特别资助(项目经费 8-18 万元),分别给予 2 万元、 5 万元补贴。 4. 待遇福利: 在站期间可参加副高级岗位晋升,通过评审可聘为副高级岗位;可申请各类科研项目;可获得公派出国深造的机会;同时享有人才优购(公积金贷款 2-3 倍)、协助子女入学等待遇;出站留苏 30 万元安家补贴。 三、招聘支撑岗位 岗位 1 :半导体材料 ( GaN 、 GaAs ) 外延生长 及 表征工程师 1- 2 名 岗位 2 : 厂务工程师 /MOCVD 设备维护工程师 1- 2 名 岗位 3 : 半导体芯片工艺工程师( 激光器、 Micro-LED 器件制备工艺 ) 1 -2 名 岗位 4 : 半导体芯片测试工程师(激光器结温与热阻测试表征、可靠性及失效分析) 1 -2 名 岗位 5 : 半导体 芯片封装工程师 ( 激光器 封装工艺与测试表征 ) 1-2 名 1. 岗位要求: 1) 具有硕士学历,或者具有本科学历及 4 年以上半导体相关领域的工作经历;年龄一般不超过 35 周岁; 2) 具有半导体相关领域的研究或技术经验,和相应岗位所需的技术能力; 3) 具有较强的团队合作意识、责任心和独立开展工作的能力; 4) 具有扎实的专业基础知识和实验技能,良好的英语读写能力; 5) 动手能力强,认真细心,踏实肯干,善于沟通。 2. 薪酬待遇: 1) 薪资:中国科学院苏州纳米所为国家级事业单位,根据岗位职级提供有竞争性的薪酬待遇(工资 + 绩效奖励) ; 2) 福利:享受五险一金(含公积金)、午餐补贴、工会福利、职工体检等。 四、应聘方式 请 应聘者 将个人简历及相关证明材料通过邮件,以“重点实验室+岗位+姓名”为主题发送至邮箱: xren2011@sinano.ac.cn 。我们 将以邮件或电话的方式通知通过初选的应聘者,参加线上面试和现场面试 。 联系人:任老师,联系电话: 0512-62872758 。

原文来源:-- 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 · 点击查看官方公告原文