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高速存储接口(HBM/GDDR/LPDDR)软件工程师(J10913)

单位:摩尔线程类型:社招地点:西安市、北京市、成都市更新:2026-09-24

岗位信息

招聘单位摩尔线程
工作地点西安市、北京市、成都市
官方更新时间2026-06-25T15:52:06

职位描述

1、负责 HBM、GDDR、LPDDR 等高速存储接口相关底层软件/固件开发,覆盖 PHY 初始化、memory controller 配置、寄存器控制、训练流程管理、异常恢复及启动流程优化等工作。

2、负责高速存储接口 PHY Training 调试,包括 Write Leveling、DQ Centering、Vref Training、CA Training、read/write margin 等关键流程,定位训练失败、读写错误、margin 不足、ECC error 等问题。

3、参与芯片回片 Bring-up、系统联调和量产导入,结合 JTAG、示波器、BERT、逻辑分析仪、DFT/ATE 数据、fail bitmap、error counter 等信息,分析 HBM/GDDR/LPDDR 子系统稳定性和良率问题。

4、开发高速存储接口自动化测试与数据分析工具,使用 C/Python 完成训练参数扫描、margin sweep、日志解析、错误统计、测试报表和量产筛选规则生成,提高调试效率和问题定位准确性。

5、与芯片架构、PHY、memory controller、验证、DFT、封装和系统团队紧密协作,推动高速存储接口在性能、稳定性、功耗、良率和量产可维护性上的持续优化,支撑 GPU/AI 加速器等高性能芯片产品交付。

任职要求

学历与经验:

1、研究生及以上学历,微电子、集成电路、电子工程、计算机等相关专业

2、3 年以上高速存储接口底层软件开发经验

3、有 HBM2E/HBM3、GDDR6/6X/7、LPDDR4/5/5X 任一方向量产级项目经验

技术能力:

1、精通嵌入式 C 编程,理解内存映射 IO、寄存器操作、DMA 控制

2、深入理解 JEDEC 规范:JESD238B(HBM3E)或 JESD235D(HBM2E)或 JESD209F(LPDDR5X)

3、熟悉 PHY 训练流程:Write Leveling、DQ Centering、Vref Training 原理与调试

4、有芯片回片 Bring-up 经验,能独立使用示波器、BERT、逻辑分析仪进行信号调试

5、熟悉 Python,能编写自动化测试脚本和数据分析工具

加分:

有 HBM3E 经验,了解 CA Training、片上 ECC 等新特性

熟悉 JTAG 调试(IEEE 1149.1),有边界扫描测试经验

了解 Memory Controller 微架构:调度策略、Refresh 机制、ECC 实现

有 DFT/CP/FT 量产测试相关经验(ATE Pattern 开发或 Fail Bitmap 分析)

有 GPU / AI 加速器 HBM 集成经验(NVIDIA、AMD、国内 GPU 厂商)

熟悉 UVM 或有 DPI-C 固件仿真联调经验

了解 2.5D/3D 封装(CoWoS / SoIC),理解 Interposer + Micro-bump 对信号的影响

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