光芯片设计专家（铌酸锂方向）(J10445)

职位描述

岗位描述：

1、开发基于薄膜铌酸锂的光子集成芯片，与国内外foundry沟通完成工艺路线制定；

2、有过薄膜铌酸锂高速电光调制器设计经验两年以上，熟练使用软件进行波导和电极结构的优化；

3、有过薄膜铌酸锂无源器件的设计经验者优先；

4、有过Si/SiN + TFLN异质集成经验者优先；

5、负责测试数据分析和设计迭代

任职要求

1、硕士及以上学历，5年以上相关经验，特别优秀者可以适当放松工作年限要求；

2、具有扎实的半导体物理，半导体器件物理，半导体工艺理论基础；

3、具有5轮以上的硅光芯片流片经验或具有3轮铌酸锂流片经验；

4、有冲劲，有责任心，有良好的沟通能力和团队写作能力，

5、有良好的英文听说读写能力