SIC功率模块产品开发高级工程师

职位描述

1、封装设计与开发 a)负责SiC功率器件（如MOSFET、IGBT等）的PCB封装设计，优化热管理（如基板选型、散热路径设计）、电气性能（低寄生电感、高电流承载能力）。 b)设计多层PCB堆叠结构（如AMB基板+FR4混合层压），解决SiC高热导率与PCB材料热膨胀系数（CTE）不匹配问题；

2、工艺开发与验证 a)开发SiC器件与PCB的互连工艺，提升界面可靠性（如抗热循环失效）。 b)制定PCB封装测试方案（如热阻测试、高频信号完整性测试），确保符合车规级标准（AEC-Q101）或航天标准（MIL-STD）；

3、失效分析与优化a)分析封装失效模式（如分层、焊点疲劳、界面氧化），利用SEM、EDS、X射线检测等工具定位根因。b)优化PCB封装材料（如Low-CTE基板、高导热环氧树脂）与工艺参数（如焊接温度曲线）；

4、跨领域协作a)与器件设计团队合作，适配SiC芯片特性（如高频开关、高dv/dt）到PCB封装架构。支持系统集成商解决SiC在PCB上的应用问题（如EMI抑制、电源完整性）。

任职要求

1、本科及以上学历，三年及以上工作经历；

2、做过SIC、IGBT等功率模块产品的开发，负责SiC功、IGBT功率器件（如MOSFET、IGBT等）的PCB封装设计，优化热管理等工作；

3、愿意接受来PCB行业。