光刻研发工程师

职位描述

光刻工艺调试与优化：

负责曝光显影等关键光刻模块的工艺参数调试与优化。

根据产品特征（线宽、套刻精度、缺陷控制等）要求，主导或参与建立和优化光刻工艺配方。

工艺问题分析与解决：

针对光刻工艺中出现的与产品性能相关的图形缺陷、尺寸偏差、均匀性问题等，进行根本原因分析，制定并实施有效的解决方案。

协同设备工程师，对新设备进行调机和导入。

数据收集与分析：

系统性地收集、整理和分析工艺调试数据，建立工艺数据库，为工艺窗口定义和稳定性控制提供数据支持。

技术文档与协作：

撰写详细的工艺调试报告、工艺标准操作程序（SOP）及工艺模块文档。

与设计团队、设备供应商、制程整合工程师及研发项目团队紧密合作，参与新工艺、新材料的可行性评估与导入。

新技术探索：

跟踪业界先进的光刻工艺发展动态，参与内部新技术、新方法的调研与实验。

任职要求

教育背景：

本科及以上学历，光学工程、物理电子学、微电子学与固体电子学、精密仪器、光电信息工程等相关专业。

工作经验：

本科需要具备3年及以上/硕士具备1-2年半导体光刻工艺开发或调试经验。

有直接负责或深入参与过光刻工艺模块建立经验者优先；具备PIE或项目开发经历者优先。

专业知识与技能：

具备独立操作和调试Track、Stepper、Aligner、SEM（如Suss、Nikon、Canon、TEL等品牌）工艺能力。

扎实的光刻理论基础，深入理解光刻工艺原理及关键参数（如CD精度、图形尺寸精度、套刻等）。

熟悉光刻胶特性及其与曝光过程的相互作用。

具备良好的数据分析能力，熟练使用Office办公软件及数据分析工具。

个人素质：

具备强烈的问题分析能力和动手解决能力，逻辑思维清晰。

工作严谨细致，责任心强，注重实验数据和质量控制。

具有良好的团队合作精神、沟通能力和文档编写能力。

对新技术有强烈的求知欲和学习能力，能适应研发环境下的多任务挑战。