电学刻蚀研发工程师

职位描述

1、负责等离子刻蚀设备在芯片制造中的评估验证和工艺开发工作；

2、负责硅/石英/介质/金属等材料刻蚀相关工艺项目的开发和导入评估，设计工艺流程，为产品提供有竞争力的工艺方案；

3、具备数据的发掘与解析能力，负责提升工艺稳定性和均匀性，改善工艺开发流程；

4、根据产品开发的需求，进行设调研和选型，提出改造设备的需求和方案，配合设备部门完成设备开发、研制工作；

5、负责新机台的调研、申购以及工艺调试，并制定相应工艺技术文件；

6、负责刻蚀工艺技术平台的搭建、维护和升级优化等。

任职要求

1、硕士及以上学历，2年以上coms刻蚀工艺产品开发经验（硅电容/MEMS/DRAM/Logic），至少精通刻蚀工艺(RIE/ICP/CCP/IBE/ALE等)原理及设备结构两种以上；

2、熟悉等离子刻蚀工艺，熟悉刻蚀机台的结构设计对工艺的影响；

3、熟练掌握常规刻蚀工艺，至少具有深硅Trench/cavity/TSV刻蚀工艺以及金属/介质层两种以上；

4、熟练掌握刻蚀设备的操作、维护、改造技能。