闪存器件工程师(J14449)

职位描述

1）仿真方向：

*存储器相关新结构和新工艺的仿真流程搭建和仿真分析。

*存储器相关操作方式的优化和仿真分析。

*存储器相关仿真模型与仿真方法的研发。

2）算法方向：

*操作算法研究： 开发并实现提升NAND寿命和数据保留能力的算法，如通过操作算法优化降低写入干扰、读干扰，改善cycle 退化等。

*特性分析与问题定位： 通过测试数据分析和芯片特性验证，定位NAND器件及算法的性能瓶颈与可靠性问题，并提出有效的解决方案

*跨部门协作： 与器件工艺、芯片设计、固件及测试团队密切合作，确保算法在芯片上的成功实现与量产。

3）平台及测试方向：

*负责3D NAND 测试程序开发、调试优化；

*负责3D NAND存储器件及阵列操作的性能及可靠性问题，实现3D NAND存储器器件级、阵列级的性能及可靠性优化。

任职要求

*学历：硕士及以上

*专业：微电子，电子科学与技术，材料科学与技术等相关专业

*工作年限：3年及以上NAND闪存器件研发、算法开发或特性分析相关工作经验

*掌握半导体工艺，半导体物理，半导体器件物理

*具备NAND flash， NOR flash，CMOS等器件研发工作经验者优先