（2027校）半导体光电探测器器件研发设计(J11577)

职位描述

1.负责探测器件结构设计，建立器件参数模型库及设计规则；负责微纳结构实验制备与测试表征，搭建超透镜测试评价平台，建立超透镜测试评价标准；

2.负责器件版图设计、微纳加工工艺开发，参与工艺流程设计及整合；

3.负责线性APD焦平面结构设计及测试评价（包括增益、过剩噪声因子等）；

4.负责器件技术文档编制，跟踪前沿技术并参与知识产权布局。

任职要求

1.硕士及以上学历；

2.光学工程、微电子学与固体电子学、电子科学与技术等专业方向；

3.熟悉电子束光刻、纳米压印、紫外曝光、激光直写等微纳加工工艺；熟练运用TCAD仿真、Pspice建模、FDTD、Comsol等多物理场仿真；

4.有微纳结构设计基础及制备经验者优先，例如偏振调控结构、陷光结构。