（2027校）半导体激光器芯片研发设计(J11576)

职位描述

1.负责高功率、高速、窄线宽等半导体激光器芯片设计，包括但不限于外延结构、光栅结构、光子晶体结构及芯片版图设计等；

2.运用专业光电仿真软件完成光电热多物理场仿真，优化阈值电流、输出功率、光谱特性及调制带宽等核心光电参数；

3.对接外延材料生长、光刻、刻蚀、镀膜、金属化等流片全流程工艺，输出工艺规范、流片方案，跟进外协/自研产线流片；

4.根据测试结果，定位性能异常与工艺偏差问题，开展芯片失效分析，提升芯片良率、一致性与长期工作可靠性；

5.跟进行业前沿技术，开展新型激光器芯片技术预研、技术调研与专利挖掘申报。

任职要求

1.硕士及以上学历，微电子、光电子、半导体物理等相关专业；

2.精通半导体激光器工作原理，熟悉III-V族（InP/GaAs）激光器芯片材料体系与器件机理；

3.熟练使用Crosslight、Lumerical、Silvaco等光电仿真软件，具备半导体激光器芯片实际设计流片经验优先；

4.熟悉半导体激光器芯片全流程制造工艺，具备芯片测试、性能调试与失效分析实战经验优先。