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(2027校)光子集成芯片研发设计(J11563)

单位:中国电科芯片技术研究院类型:校招地点:重庆市更新:2026-09-24

岗位信息

招聘单位中国电科芯片技术研究院
工作地点重庆市
官方更新时间2026-08-25T16:16:44

职位描述

1.负责InP材料平台的无源光子集成器件设计与研发,包括但不限于模斑转换器、倏逝波导耦合结构、混频器、热光移相器、偏振旋转分束器;

2、负责InP无源光子集成器件的版图设计、参数优化、工艺协同开发;

3、负责InP无源光子集成器件的性能测试,包括但不限于插损、相位一致性、偏振消光比等参数;

4、参与InP电光调制器、波导型探测器、单片集成平衡探测器的测试评价工作;

5、参与面向高速光通信、微波光子、光计算等方向的光子集成芯片架构设计与技术攻关。

任职要求

1.硕士及以上学历;

2.光学工程、电子科学与技术、物理电子学、微电子、集成电路、电磁场与微波;

3.掌握Lumerical、COMSOL、HFSS、CST、ADS仿真软件;

4.具有光子集成芯片设计测试经验者优先。

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