(2027校)光子集成芯片研发设计(J11563)
岗位信息
| 招聘单位 | 中国电科芯片技术研究院 |
|---|---|
| 工作地点 | 重庆市 |
| 官方更新时间 | 2026-08-25T16:16:44 |
职位描述
1.负责InP材料平台的无源光子集成器件设计与研发,包括但不限于模斑转换器、倏逝波导耦合结构、混频器、热光移相器、偏振旋转分束器;
2、负责InP无源光子集成器件的版图设计、参数优化、工艺协同开发;
3、负责InP无源光子集成器件的性能测试,包括但不限于插损、相位一致性、偏振消光比等参数;
4、参与InP电光调制器、波导型探测器、单片集成平衡探测器的测试评价工作;
5、参与面向高速光通信、微波光子、光计算等方向的光子集成芯片架构设计与技术攻关。
任职要求
1.硕士及以上学历;
2.光学工程、电子科学与技术、物理电子学、微电子、集成电路、电磁场与微波;
3.掌握Lumerical、COMSOL、HFSS、CST、ADS仿真软件;
4.具有光子集成芯片设计测试经验者优先。
提示:投递请认准招聘单位官方招聘官网,谨防中介收费。