（社招）芯片制造工艺开发技术岗(J11601)

职位描述

1.专业发展研究：

（1）跟踪国际InP光子集成领域技术发展方向，围绕高速光通信、相干探测、微波光子、激光通信、光计算等方向展开技术研究并开发产品；

（2）规划形成研究所自有的InP光子集成制造工艺技术路线，规划外延结构、光子集成芯片制造工艺平台、器件制备与先进封装工艺发展路径；

（3）开展InP有源/无源光子集成器件关键工艺研究，并形成成套工艺整合，包括但不限于外延生长、光刻、刻蚀、二次外延、钝化等；

（4）推动InP与硅光、薄膜铌酸锂等材料的异质集成研究技术制定，形成面向未来的异质光子集成能力；

2.技术突破：

（1）突破InP光子集成制造中的相关核心关键工艺，如低损耗波导刻蚀、高速电光调制器制备工艺、高速波导型UTC-PD制备工艺、单片集成平衡探测器、高速EML相关制备工艺；

（2）提升芯片关键性能指标，如带宽、插损、消光比、功耗、热稳定性等；

（3）建立高良率、可量产的InP光子集成芯片制造工艺平台，推动事业部从单器件制备向大规模集成光子芯片制备的工艺跨越；

（4）形成InP与硅光、薄膜铌酸锂等材料异质集成的技术路线，并完成相关工艺开发，包括但不限于微转印、光子引线键合、晶圆键合等路径；

3.产品完成：负责高速调制器、高速探测器、Tx/Rx一体芯片等核心芯片的工艺实现，并形成相关产品开发，包括但不限于InP电光调制器、InP IQ调制器、单片集成InP平衡探测器、波导型UTC探测器；

4.市场开拓：协助本方向产品需求调研和市场扩展，具备一定的沟通能力；

5.人才建设：负责专业方向人才培养，具备因人施教能力。

6.其他成果：在预研、型谱、基金项目等科研领域申请国家经费支持，积累创新和科技成果，争取省部级以上奖项。

任职要求

1.学历要求：博士；

2.专业要求：光学工程、电子科学与技术、物理电子学、微电子、集成电路、电磁场与微波等专业方向，具备集成光电子学、表面物理化学、光波导理论、半导体器件物理知识，掌握先进三维集成技术国内外发展状况及发展方向；

3.其他要求：

（1）社招人员（海外大型企业相关工作经验），校招人员（博士学历，有丰富的项目经验）；

（2）精通电子束曝光、深紫外光刻、干法/湿法刻蚀、再生长、欧姆接触与金属化、钝化等微纳加工工艺，对主流设备有实际使经验，能独立操作光刻机、ICP、PECVD、蒸镀、电镀、CMP、SEM、AFM等其中一种或多种设备；精通Lumerical、Comsol、HFSS等仿真软件，熟练使用Klayout、L Edit等版图设计工具；

（3）具备较强的工艺分析能力，能够开展DOE优化、SPC控制、失效分析与良率提升工作；

（4）熟悉高速、高可靠性光电子芯片制造要求，具备工程化和量产化经验；

（5）有异质集成光子芯片研发经验者优先；