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DDR模拟设计资深工程师(J10004)

单位:中茵微电子类型:社招地点:上海市、合肥市、北京市更新:2026-09-24

岗位信息

招聘单位中茵微电子
工作地点上海市、合肥市、北京市
官方更新时间2026-07-02T15:41:44

职位描述

- 负责前沿工艺和规格 LPDDR4/5, HBM 及其他高速存储接口PHY IP进行模块级规格制定及电路设计仿真等;

- 负责Chiplet接口模块级规格制定及电路设计仿真;

- 与版图设计工程师进行协作并指导关键电路的版图设计;

- 支持封装工程师进行先进封装设计及SI/PI仿真;

- 支持硬件和测试工程师进行PCB设计及IP的bringup和debug;

- 针对SoC架构需求对系统和性能需求进行分析并提供相应的解决方案。

任职要求

- 电子类硕士毕业5年以上的电路设计经验,3年以上的DDR PHY设计经验。具备高速Serdes设计经验者优先;

- 深入理解DDR等高速存储接口协议。对其他Serdes协议理解者优先;

- 对高速电路版图的要点有深入理解,包括寄生效应,串扰隔离、供电和偏置分布等;

- 对设计环境和EDA经验丰富,包括设计,仿真,混仿,EM等。具备FinFet设计经验者优先;

- 熟悉电磁结构的理论和实践方面,包括传输线、螺旋电感、谐振电路等;

- 具备较好的自驱力及团队协作能力。

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