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DDR模拟设计工程师(J10293)

单位:中茵微电子类型:校招地点:北京市、上海市更新:2026-09-24

岗位信息

招聘单位中茵微电子
工作地点北京市、上海市
官方更新时间2026-07-01T21:04:00

职位描述

1. 参与前沿工艺下(如FinFet)LPDDR4/5、HBM及其他高速存储接口PHY IP的模块级电路设计、仿真与验证;

2. 参与Chiplet接口相关模块级电路设计仿真,支持高速数据传输链路的设计与优化;

3. 与版图设计工程师密切协作,完成关键电路的版图设计指导,包括寄生效应、串扰隔离、供电及偏置分布等;

4. 协助封装工程师进行信号完整性(SI)和电源完整性(PI)仿真分析,支持芯片整体性能优化;

5. 参与设计文档撰写、设计流程规范制定及团队技术积累工作。

任职要求

1. 电子、集成电路、电子工程等相关专业,本科及以上学历(硕士优先);

2. 具备扎实的模拟电路基础理论知识,了解常见模拟模块(如放大器、比较器、LDO、OSC等)的工作原理;

3. 对高速电路版图有一定理解,了解寄生效应、噪声隔离、匹配及对称性等基本版图设计原则;

4. 了解主流EDA工具(如VCS, Verdi, Design Compiler等),具备基本的Lint、综合及静态时序分析(STA)概念;

5. 具备良好的学习能力、自驱力及团队协作意识,乐于接受技术挑战。

加分项(非硬性要求):

- 有FinFet工艺或DDR/SerDes/Chiplet等相关项目经验;

- 会使用电磁仿真工具(如EMX、HFSS)或脚本语言(Python/Perl/Tcl等);

- 有集成电路相关竞赛获奖经历或论文发表。

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