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模拟设计工程师(DDR)

单位:国科微电子类型:社招地点:上海市更新:2026-09-24

岗位信息

招聘单位国科微电子
工作地点上海市
官方更新时间2025-12-29T18:09:53

职位描述

1、设计DDR PHY中的高速模拟电路(如DDR I/O、PLL、DLL、均衡器EQ)。

2、优化接收端(RX)与发送端(TX)的SI/PI性能(如抗抖动、眼图裕量)。

3、指导版图设计,确保匹配性(八边形法则)及抗ESD能力。

4、支持硅片特性测试(Shmoo Plot)及良率提升。

任职要求

1、硕士6年+模拟IC设计经验,精通Cadence Virtuoso/Spectre。

2、深入理解高速电路设计(如差分信号、阻抗匹配、噪声抑制)。

3、掌握DDR接口的SI/PI分析方法及工艺模型(FinFET优先)。

4、有DDR4/5或HBM PHY设计经验者优先。

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