模拟设计工程师(DDR)
岗位信息
| 招聘单位 | 国科微电子 |
|---|---|
| 工作地点 | 上海市 |
| 官方更新时间 | 2025-12-29T18:09:53 |
职位描述
1、设计DDR PHY中的高速模拟电路(如DDR I/O、PLL、DLL、均衡器EQ)。
2、优化接收端(RX)与发送端(TX)的SI/PI性能(如抗抖动、眼图裕量)。
3、指导版图设计,确保匹配性(八边形法则)及抗ESD能力。
4、支持硅片特性测试(Shmoo Plot)及良率提升。
任职要求
1、硕士6年+模拟IC设计经验,精通Cadence Virtuoso/Spectre。
2、深入理解高速电路设计(如差分信号、阻抗匹配、噪声抑制)。
3、掌握DDR接口的SI/PI分析方法及工艺模型(FinFET优先)。
4、有DDR4/5或HBM PHY设计经验者优先。
提示:投递请认准招聘单位官方招聘官网,谨防中介收费。